碳化硅化学气相沉积炉
该装备为化学气相沉积炉。可采用卧式或者立式设计。
在CVD工艺中，气化的前驱体被引入真空室并加热至反应温度，并在加热的基体上表面形成致密的碳化硅薄膜。沉积环境的温场、气流和压力被精确控制，以确保达到所需的薄膜性能。
该装备在半导体和泛半导体领域中，常用于热场石墨材料，以及半导体设备陶瓷腔体材料的涂层。
技术参数
|
最高工作温度（℃） |
1500 |
|
温度均匀性（℃） |
≤±7 |
|
极限真空度（Pa） |
≤10 |
|
压升率（Pa/h） |
≤3 |
|
工艺气体 |
MTS、Ar、H2 |
|
沉积速率（μm/h） |
10-50 |
相关推荐
填写下方表单信息，获取我们最新的产品信息
联系方式
咨询热线
公司地址
湖南省株洲市天元区仙月环路755号瑞德尔科技园
IPV4 / IPV6
营业执照